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塑封半導(dǎo)體器件<i style='color:red'>thb</i>試驗(yàn)

塑封半導(dǎo)體器件thb試驗(yàn)

thb試驗(yàn)是考核塑封器件耐濕性常用的加速試驗(yàn)方法,一般在高溫高濕試驗(yàn)箱中進(jìn)行。通過提高環(huán)境溫度及相對(duì)濕度,使試驗(yàn)環(huán)境的水汽分壓增加,加大了試驗(yàn)環(huán)境與塑封半導(dǎo)體器件樣品內(nèi)部的水蒸氣壓力差,進(jìn)而加劇水汽擴(kuò)散和吸收:同時(shí)施加偏置電壓為加速金屬侵蝕提供了必要的電解電池。加速金屬侵蝕的原因還有:塑封器件所用不同材料的熱失配使封裝體內(nèi)產(chǎn)生縫隙加速水汽的侵入;封裝材料中的雜質(zhì)污染等。
HAST試驗(yàn)的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

HAST試驗(yàn)的特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì)

HAST是專為塑封固態(tài)器件而設(shè)計(jì)的,因?yàn)槭聦?shí)證明,高壓蒸煮和thb試驗(yàn)對(duì)于某些健壯的塑封微電路已經(jīng)不能產(chǎn)生失效。 這一試驗(yàn)用高溫(通常為130℃)、高相對(duì)濕度(約85%)、高大氣壓力的條件(達(dá)3atm)來加速潮氣通過外部保護(hù)材料或芯片引線周圍的密封封裝。

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